شرکت کره‌ای SK Hynix اعلام کرده است که مرزهای تولید تراشه‌های نیمه هادی NAND را جا به جا می‌کند؛ این شرکت نخستین تراشه ۱۲۸ لایه ۴D جهان را معرفی می‌کند؛ در شرایطی که کمپانی‌های رقیب در حال کار بر روی مقاومت و کاهش لیتوگرافی هستند، SK Hynixدنیای ذخیره سازهای نیمه هادی را دگرگون می‌کند.
درست ۸ ماه پیش بود که SK Hynix اعلام کرد به فناوری تولید تراشه‌های ۹۶ لایه ۴D NAND دست یافته است؛ اینک پس از کمتر از یکسال شاهد تراشه‌های ۱۲۸ لایه ۴D NANDهستیم. SK Hynix به همین هم قناعت نکرده و در ادامه این اخبر افزود: در حال کار بر روی تراشه‌های ۱۷۶ لایه هستیم.
توسعه تراشه‌های ۱۲۸ لایه ۴D NAND بر اساس چیپ های ۱ ترابیتی نوع Triple-Level Cellیا همان TLC است. این تراشه‌های ۱ ترابیتی تا ۳۶۰ میلیارد سلول NAND را ارائه می‌دهند که هر یک دارای ۳ بیت فضا برای هر تراشه هستند. این تراشه بزرگترین انباشته عمودی این صنعت را به نام خود ثبت می‌کند. هر چند که چیپ های جدید ۱۲۸ لایه ۴ بعدی برای SK Hynix یک مزیت علمی و نوآوری برجسته به حساب می‌آیند، اما با توجه به این مسئله که تا ۸۵ درصد از SSDهای موجود از تراشه‌های TLC استفاده می‌کنند، به این نتیجه می‌رسیم که بخش بازاریابی و سودآوری آن نیز به شدت مورد توجه قرار داشته است.
به هر حال این تراشه‌های TLC NAND را می‌توان متراکم‌ترین چیپ های جهان با این تکنیک دانست. این شرکت در زمینه ارائه فناوری ۴D، در سال گذشته گفته بود که از ترکیب ۳D Charge Trap Flash و Peri. Under Cell، به اختصار PUC، موفق به تولید چنین فناوری شده است. با استفاده از معماری چهار وجهی، سرعت خیره کننده ۱۴۰۰ مگابیت در ثانیه در ولتاژ ۱.۲ ولت میسر شده است.
